Американская компания Micron Technology объявила о начале производства модулей памяти с фазовым переходом (Phase Change Memory, PCM) по технологии 45-нм для мобильных устройств. В будущем компания обещает наладить выпуск более крупных чипов "фазовой" памяти для более сложных устройств, сообщает CNews.ru.
Память PCM считается достойной альтернативой флеш-накопителям. По сравнению с флеш-накопителями PCM обеспечивает многократный прирост производительности, существенно сокращение времени загрузки и более высокую долговечность. Память нового типа также является энергонезависимой и характеризуется невысоким энергопотреблением в рабочем режиме.
Принцип работы чипов РСМ основан на свойствах носителя (халькогенида, материала из стекла с посеребренными полупроводниками из германия, сурьмы и теллура), способного находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой превращается в кристаллический проводник. Изменение фазового состояния сопровождается переключением между логическими нулем и единицей.
Похожие материалы на основе халькогенида с меняющимся коэффициентом преломления используются в перезаписываемых оптических дисках CD-RW и DVD-RW.
Теоретически память с фазовым переходом способна заменить собой не только флеш-память, но и нынешние модули оперативной памяти, требующей постоянной подпитки электричеством.