Инженеры из исследовательского центра IBM разработали методику, позволяющую подводить небольшие (до 10 нанометров) электрические контакты к углеродным нанотрубкам без серьезного увеличения сопротивления.
Технология будет использоваться в создании высокопроизводительных компьютеров на базе углеродных нанотрубок. Исследование опубликовано в журнале Science. О нем рассказывает N+1.
В новой технике ключевым моментом оказалось образование химических связей между нанообъектом и металлом контакта. Авторы работы предложили использовать в качестве материала контакта молибден. При химическом взаимодействии с концом одностенной полупроводниковой нанотрубки металл образует карбид молибдена. В результате удалось создать фрагмент электрической цепи с 9-нанометровым контактом и сопротивлением всего от 25 до 36 килоом. Такое устройство оказалось способным нести ток в 15 микроампер по одной нанотрубке. Такой ток на порядки сильнее, чем проходящий через аналогичное сечение в медном проводе.
Этот подход к созданию контактов у полупроводниковой нанотрубки отличается от ранее использовавшихся методов напыления. Главным его преимуществом является небольшой размер получающейся контактной площадки - менее 10 нанометров. Традиционные же методы позволяли напылять поверх нанотрубки металлические контакты, покрывая длину в 200 нанометров. Для сравнения, элементы транзисторов, использующихся в современной технике, обладают размерами от 14 нанометров.
Инженеры IBM разрабатывают транзисторы на полупроводниковых нанотрубках в рамках программы по созданию к 2020 году полноценной "нанотрубочной" технологии для компьютеров. По сравнению с передовыми кремниевыми MOSFET, такие транзисторы могут быть в пять раз быстрее.
Первый прототип вычислительного устройства на углеродных нанотрубках был разработан специалистами из Университета Стенфорда в 2013 году. Его производительность была сопоставима с процессором Intel 4004, выпущенным в 1971 году.