Ученым из IBM Reasearch, исследовательского подразделения компании IBM, удалось разместить углеродные нанотрубки на поверхности кремниевой пластины и использовать их для создания гибридных чипов с более чем 10 тыс. транзисторов. Создатели новой технологии подчеркивают, что этот способ готов к практическому внедрению, поскольку в нем предусматривается использование доступных химикатов и уже имеющихся возможностей полупроводникового производства.

Напомним, разговоры о том, что углеродные нанотрубки однажды примут в микросхемах эстафету у кремния, ведутся давно. Они считаются перспективной заменой кремнию из-за очень привлекательных электрических характеристик и миниатюрных размеров.

Используя углеродные нанотрубки, можно создавать транзисторы, состоящие в сечении всего из несколько атомов. Электроны перемещаются по углеродным нанотрубкам гораздо легче, чем в кремнии, что позволяет повысить скорость работы транзисторов.

Новое достижение американской компании, позволяющее использовать углеродые нанотрубки в строительстве транзисторов для процессоров, обеспечит уменьшение размеров компьютерных чипов на протяжении следующего десятилетия, сообщает CNews.ru.

Новая технология основана на углеродных нанотрубках, которые давно считались возможной заменой кремнию – материалу, из которого сегодня изготавливаются микроскопические логические элементы для создания микропроцессоров и чипов памяти.

Кроме того, дынный эксперимент обрести уверенность в том, что полупроводниковая индустрия продолжит развиваться еще в течение многих лет, обойдя ограничения закона Мура.

Современный метод, которому следуют более пятидесяти лет, предполагает непрерывное увеличение числа транзисторов на кристаллах кремниевых пластин. Такой подход оформил в виде теории соучредитель Intel Гордон Мур в 1965 году. Он сформулировал закон собственного имени, согласно которому количество транзисторов на кристалле микропроцессора будет удваиваться каждые два года.

Несмотря на доказанную временем эффективность, у "закона Мура" есть предел из-за физических ограничений: количество полупроводников из кремния нельзя увеличивать до бесконечности. Даже если уменьшать их в размерах и располагать ближе друг к другу, это приведет к утечке тока, что вызовет больший расход электроэнергии.

В связи с этим ряд экспертов полагает, что максимальной скорости вычисления интегральная микросхема в ее нынешнем виде достигнет уже через десять лет.